日本研究团队制造新型碲化铌材料,有望作为相变存储器原材料降低生产成本

 人参与 | 时间:2024-03-29 04:22:08
9 月 5 日消息,日本日本东北大学的研究原材研究人员日前利用溅射技术制造出了碲化铌(NbTe4)材料,据悉这种材料具有“卓越存储和热性能”,团队都市之至尊大将军有望应用于相变存储器制造中,制造从而为业界提供更多原材料选择,新型降低相关成本,碲化低生目前论文已经发布归档在 onlinelibrary 平台上。铌材

经过查询得知,料有料降相变存储器(PCM)是望作为相一种“应用相变材料作为储存介质”的存储器技术,相对于当下的变存本闪存,相变存储器通过相变物质的储器产成都市之至尊大将军固态、液态转变来保存数据(闪存的日本写入速度受限于电荷移动速度),因此其读写速度更快、研究原材存储密度更高、团队功耗更低、制造并且尺寸可以做到更小,但制造相变存储器介质的成本过高,目前相变存储器还停留在企业级阶段,尚未下放到家庭市场。

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研究人员使用溅射技术制造材料,据悉“溅射是一种广泛使用的技术,该技术主要是将材料薄膜沉积到基底上,从而实现对薄膜厚度和成分的精确控制”。研究人员在 272 ºC 以上的温度,退火形成碲化铌(NbTe4)结晶,这种材料具有约 447 ºC 的超低熔点,因此物理上相对稳定,适合制造相变存储器。

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研究人员对该晶体进行了评估,据称与传统的相变存储器化合物相比,碲化铌(NbTe4)结晶的热稳定性较高,而结晶转换为液态的速度也相当快(约为 30 纳秒),凸显了其作为相变存储器的原材料的潜力。

东北大学材料科学高等研究所助理教授 Shuang 声称:“我们为开发高性能相变存储器开辟了新的可能性,NbTe4 具有低熔点、高结晶温度和优异的转换性能,是解决目前相变存储器所面临成本挑战的‘理想材料之一’。”

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